EN 
EN
DA
NL
FI
FR
DE
IT
JA
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
ID
SK
UK
VI
TH
TR
FA
BE
LA
UZ
Semiconductor quartz beny
Rapid detay:
1. Lòt non: Tank kwatz semi-kondiktè, beny kwatz pou semi-kondiktè, tank kwatz pou semi-kondiktè.
2. Aplikasyon: Beny Quartz Semiconductor a se yon konpozan ki gen gwo pite epi ki reziste korozyon, ki fèt espesyalman pou netwayaj presizyon ak pwosesis chimik nan fabrikasyon semi-kondiktè. Li fèt pou konpatibilite ak sistèm WS-620C/WS-820C/WS-820L la, beny quartz sa a fonksyone nan kondisyon tanperati ki wo (jiska 175°C) epi li optimize pou itilize ak solisyon asid fosfòrik (H₃PO₄), sa ki asire yon pèfòmans eksepsyonèl nan pwosesis netwayaj waf kritik yo.
3. Paramèt debaz yo:
Kwats fonn (>99.99% SiO₂).
Inètite chimik eksepsyonèl anvè H₃PO₄ (asid fosfòrik) nan tanperati ki wo, anpeche degradasyon oswa jenerasyon patikil.
Reziste operasyon kontinyèl nan 160°C ak tanperati pik 175°C, kenbe entegrite estriktirèl ak estabilite dimansyonèl.
Deskripsyon
Beny Quartz Semi-kondiktè a se yon konpozan ki gen gwo pite epi ki reziste korozyon, ki fèt espesyalman pou netwayaj presizyon ak pwosesis chimik nan fabrikasyon semi-kondiktè. Li fèt pou konpatibilite ak sistèm WS-620C/WS-820C/WS-820L la, beny quartz sa a fonksyone nan kondisyon tanperati ki wo (jiska 175°C) epi li optimize pou itilize ak solisyon asid fosfòrik (H₃PO₄), sa ki asire yon pèfòmans eksepsyonèl nan pwosesis netwayaj waf kritik yo.
Key Features
Siperyorite materyèl
Quartz Segondè Pite: Fabrike ak kwatz sentetik fonn (>99.99% SiO₂), asire kontaminasyon minimòm ak rezistans a chòk tèmik.
Rezistans asid
Inètite chimik eksepsyonèl anvè H₃PO₄ (asid fosfòrik) nan tanperati ki wo, anpeche degradasyon oswa jenerasyon patikil.
Estabilite tèmik
Reziste operasyon kontinyèl nan 160°C ak tanperati pik 180°C, kenbe entegrite estriktirèl ak estabilite dimansyonèl.
Benefis pèfòmans
Kontwòl Kontaminasyon: Fini sifas ultra lis la minimize adezyon patikil, ki enpòtan pou pwosesis ne semikondiktè sub-mikwon yo.
Lonjevite: Rezistans Quartz la kont korozyon asid ak fatig tèmik pwolonje lavi sèvis li, sa ki diminye tan pann ak depans antretyen.
Konsistans Pwosesis: Konduktivite tèmik ki estab asire yon distribisyon tanperati inifòm, amelyore efikasite netwayaj la ak repetabilite.
Poukisa chwazi beny kwatz semi-kondiktè Semixlab la?
Kalite Semi-condicteur: Pwodui nan yon anviwònman chanm pwòp pou satisfè estanda SEMI yo.
Solisyon pèsonalize: Desen pèsonalize disponib pou satisfè egzijans pwosesis espesifik yo.
Fyabilite: Tès kalite rigoureux asire konfòmite avèk demand endistri semi-kondiktè yo.
Espesifikasyon
| Pwopriyete mekanik | Dansite (g/cm3) | 2.2 |
| Mohs dite | 6-7 | |
| Fòs konpresiv (MPa) | 1100 | |
| Fòs tansyon (N/mm)2) | 50 | |
| Fòs fleksyon (N/mm)2) | 65 | |
| Fòs torsyonèl (N/mm)2) | 30 | |
| Modil Young lan (MPa) | 7.2x104 | |
| Rapò Poisson la | 0.16 | |
| Pwopriyete tèmik | Koyefisyan ekspansyon tèmik (20 ~ 320 ℃, k-1) | 5.5x10-7 |
| Konduktivite tèmik (20℃,W·m-1k-1) | 1.4 | |
| Chalè espesifik (20℃, J·kg)-1k-1) | 670 | |
| Pwen ramolisman (℃) | 1700 | |
| Pwen recuit (℃) | 1180 | |
| Pwen souch (℃) | 1080 | |
| Pwopriyete elektrik | Rezistans elektrik (Ω·m) | 1x1016(20 ℃) |
| Konstan dyelèktrik (10GHz) | 3.74 | |
| Pèt dyelèktrik (10GHz) | 0.0002 | |
| Fòs dyelèktrik (V·m)-1) | 3.7x107 |
Aplikasyon
Netwayaj wafer: Retire fotorezist, rezidi, ak kontaminan nan solisyon ki baze sou H₃PO₄ apre grave oswa litografi.
Pwosesis Tanperati Segondè: Apwopriye pou etap fabrikasyon semi-kondiktè avanse ki mande pwodui chimik agresif nan tanperati ki wo.
Konpatibilite: Ideyal pou sistèm WS-620C/ WS-820C/ WS-820L nan faktori k ap pwodui aparèy lojik, memwa, oswa pouvwa.
